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MT40A2G4WE-083E:B TR

MT40A2G4WE-083E:B TR

僅供參考

型號 MT40A2G4WE-083E:B TR
PNEDA編號 MT40A2G4WE-083E-B-TR
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT40A2G4WE-083E:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT40A2G4WE-083E:B TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT40A2G4WE-083E:B TR, MT40A2G4WE-083E:B TR數據表 (總頁數: 391, 大小: 11,348.46 KB)
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MT40A2G4WE-083E:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR4
內存大小8Gb (2G x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率1.2GHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.26V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x12)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 2.4ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 2.1V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-TSSOP

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

64-TQFP (14x14)

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內存接口

Parallel

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54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

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