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MT41J1G4THD-15E:D

MT41J1G4THD-15E:D

僅供參考

型號 MT41J1G4THD-15E:D
PNEDA編號 MT41J1G4THD-15E-D
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41J1G4THD-15E:D資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41J1G4THD-15E:D
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT41J1G4THD-15E:D規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小4Gb (1G x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率667MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9x11.5)

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR3

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

64Gb (8G x 8)

內存接口

MMC

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

550MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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