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MT41K256M16LY-093:N

MT41K256M16LY-093:N

僅供參考

型號 MT41K256M16LY-093:N
PNEDA編號 MT41K256M16LY-093-N
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 11,899
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K256M16LY-093:N資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K256M16LY-093:N
類別半導體內存IC內存
數據表
MT41K256M16LY-093:N, MT41K256M16LY-093:N數據表 (總頁數: 218, 大小: 3,110.25 KB)
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MT41K256M16LY-093:N規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小4Gb (256M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率1067MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (7.5x13.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

78-FBGA (8x10.5)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

28-SOIC

CYATB108LD-ZS45XI

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

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訪問時間

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