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MT41K256M16V90BWC1

MT41K256M16V90BWC1

僅供參考

型號 MT41K256M16V90BWC1
PNEDA編號 MT41K256M16V90BWC1
描述 IC DRAM 4G PARALLEL DIE
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K256M16V90BWC1資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K256M16V90BWC1
類別半導體內存IC內存

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MT41K256M16V90BWC1規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小4Gb (256M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

1866MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

32Mb (1M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

54ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

EPROM - OTP

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

STMicroelectronics

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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36Mb (2M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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