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MT41K256M4JP-15E:G

MT41K256M4JP-15E:G

僅供參考

型號 MT41K256M4JP-15E:G
PNEDA編號 MT41K256M4JP-15E-G
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K256M4JP-15E:G資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K256M4JP-15E:G
類別半導體內存IC內存

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MT41K256M4JP-15E:G規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (256M x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率667MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間13.5ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x11.5)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

2.3V ~ 3V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Rohm Semiconductor

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-UFBGA, CSPBGA

供應商設備包裝

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.75GHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.31V ~ 1.65V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

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