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MT41K2G4RKB-107:N

MT41K2G4RKB-107:N

僅供參考

型號 MT41K2G4RKB-107:N
PNEDA編號 MT41K2G4RKB-107-N
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,248
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K2G4RKB-107:N資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K2G4RKB-107:N
類別半導體內存IC內存

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MT41K2G4RKB-107:N規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小8Gb (2G x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x10.5)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

67MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

9ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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