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MT41K2G4RKB-107:P TR

MT41K2G4RKB-107:P TR

僅供參考

型號 MT41K2G4RKB-107:P TR
PNEDA編號 MT41K2G4RKB-107-P-TR
描述 IC SDRAM DDR3 8GB 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K2G4RKB-107:P TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K2G4RKB-107:P TR
類別半導體內存IC內存

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MT41K2G4RKB-107:P TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列TwinDie™
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小8Gb (2G x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x10.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-UDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-USON (4x4)

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制造商

Microchip Technology

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

32-PLCC (11.43x13.97)

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內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

100-TQFP (14x20)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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