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MT41K512M8DA-107 V:P

MT41K512M8DA-107 V:P

僅供參考

型號 MT41K512M8DA-107 V:P
PNEDA編號 MT41K512M8DA-107-V-P
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,934
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K512M8DA-107 V:P資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K512M8DA-107 V:P
類別半導體內存IC內存

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MT41K512M8DA-107 V:P規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x10.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Winbond Electronics

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR3

內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

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15ns

訪問時間

20ns

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安裝類型

Surface Mount

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Renesas Electronics America

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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