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MT41K512M8RH-125 AIT:E

MT41K512M8RH-125 AIT:E

僅供參考

型號 MT41K512M8RH-125 AIT:E
PNEDA編號 MT41K512M8RH-125-AIT-E
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K512M8RH-125 AIT:E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K512M8RH-125 AIT:E
類別半導體內存IC內存

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MT41K512M8RH-125 AIT:E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間13.75ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9x10.5)

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內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

64-FBGA (13x11)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

W25X40CLSNIG TR

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

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安裝類型

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