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MT45W4MW16BBB-706 L WT

MT45W4MW16BBB-706 L WT

僅供參考

型號 MT45W4MW16BBB-706 L WT
PNEDA編號 MT45W4MW16BBB-706-L-WT
描述 IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 7 - 一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT45W4MW16BBB-706 L WT資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT45W4MW16BBB-706 L WT
類別半導體內存IC內存
數據表
MT45W4MW16BBB-706 L WT, MT45W4MW16BBB-706 L WT數據表 (總頁數: 61, 大小: 969.65 KB)
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MT45W4MW16BBB-706 L WT規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式PSRAM
技術PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-VFBGA
供應商設備包裝54-VFBGA (6x9)

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時鐘頻率

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訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

60ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

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Silicon Motion, Inc.

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內存格式

-

技術

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

55ns

電壓-供電

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0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

200µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.65V ~ 3.3V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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