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MT46H256M32R4JV-5 WT:B

MT46H256M32R4JV-5 WT:B

僅供參考

型號 MT46H256M32R4JV-5 WT:B
PNEDA編號 MT46H256M32R4JV-5-WT-B
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,084
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46H256M32R4JV-5 WT:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46H256M32R4JV-5 WT:B
類別半導體內存IC內存

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MT46H256M32R4JV-5 WT:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小8Gb (256M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5.0ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱168-VFBGA
供應商設備包裝168-VFBGA (12x12)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

4.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存大小

256Gb (32G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

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8µs, 4ms

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