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MT46H64M32LFBQ-48 WT:C

MT46H64M32LFBQ-48 WT:C

僅供參考

型號 MT46H64M32LFBQ-48 WT:C
PNEDA編號 MT46H64M32LFBQ-48-WT-C
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46H64M32LFBQ-48 WT:C資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46H64M32LFBQ-48 WT:C
類別半導體內存IC內存

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MT46H64M32LFBQ-48 WT:C規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小2Gb (64M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率208MHz
寫周期-字,頁14.4ns
訪問時間5.0ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-VFBGA
供應商設備包裝90-VFBGA (8x13)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

16Gb (512M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1600MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.1V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

250MHz

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訪問時間

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電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

5µs, 3ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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