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MT46H8M32LFB5-6:A TR

MT46H8M32LFB5-6:A TR

僅供參考

型號 MT46H8M32LFB5-6:A TR
PNEDA編號 MT46H8M32LFB5-6-A-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,910
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46H8M32LFB5-6:A TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46H8M32LFB5-6:A TR
類別半導體內存IC內存

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MT46H8M32LFB5-6:A TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小256Mb (8M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁12ns
訪問時間5.0ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-VFBGA
供應商設備包裝90-VFBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存接口

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