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MT46V128M4P-6T:F TR

MT46V128M4P-6T:F TR

僅供參考

型號 MT46V128M4P-6T:F TR
PNEDA編號 MT46V128M4P-6T-F-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V128M4P-6T:F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V128M4P-6T:F TR
類別半導體內存IC內存

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MT46V128M4P-6T:F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (128M x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率167MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP

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內存格式

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-UFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-UFDFPN (2x3)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

16Mb (4M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 1ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-XFBGA, CSPBGA

供應商設備包裝

8-XFCSP (2x2.8)

IDT7164L20Y

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

28-SOJ

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

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