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MT46V128M4TG-75:D

MT46V128M4TG-75:D

僅供參考

型號 MT46V128M4TG-75:D
PNEDA編號 MT46V128M4TG-75-D
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V128M4TG-75:D資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V128M4TG-75:D
類別半導體內存IC內存

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MT46V128M4TG-75:D規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (128M x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間750ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

80-LQFP

供應商設備包裝

80-TQFP (14x14)

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C, Single Wire

時鐘頻率

125kHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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