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MT46V16M16BG-5B:F TR

MT46V16M16BG-5B:F TR

僅供參考

型號 MT46V16M16BG-5B:F TR
PNEDA編號 MT46V16M16BG-5B-F-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,410
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V16M16BG-5B:F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V16M16BG-5B:F TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT46V16M16BG-5B:F TR, MT46V16M16BG-5B:F TR數據表 (總頁數: 93, 大小: 3,632.33 KB)
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MT46V16M16BG-5B:F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.5V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-FBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x14)

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3500ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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內存接口

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時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.6ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

256-CABGA (17x17)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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1.7V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Alliance Memory, Inc.

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