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MT46V16M16BG-6 IT:F TR

MT46V16M16BG-6 IT:F TR

僅供參考

型號 MT46V16M16BG-6 IT:F TR
PNEDA編號 MT46V16M16BG-6-IT-F-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 4 - 五月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V16M16BG-6 IT:F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V16M16BG-6 IT:F TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT46V16M16BG-6 IT:F TR, MT46V16M16BG-6 IT:F TR數據表 (總頁數: 93, 大小: 3,632.33 KB)
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MT46V16M16BG-6 IT:F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率167MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-FBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x14)

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

5µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.4ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

256-LBGA

供應商設備包裝

256-CABGA (17x17)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR3

內存大小

16Gb (512M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

-

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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