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MT46V16M16P-5B:M TR

MT46V16M16P-5B:M TR

僅供參考

型號 MT46V16M16P-5B:M TR
PNEDA編號 MT46V16M16P-5B-M-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,150
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V16M16P-5B:M TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V16M16P-5B:M TR
類別半導體內存IC內存

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MT46V16M16P-5B:M TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.5V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP

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內存接口

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時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

450MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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Micron Technology Inc.

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內存格式

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內存接口

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工作溫度

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安裝類型

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