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MT46V16M8TG-6T IT:D TR

MT46V16M8TG-6T IT:D TR

僅供參考

型號 MT46V16M8TG-6T IT:D TR
PNEDA編號 MT46V16M8TG-6T-IT-D-TR
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V16M8TG-6T IT:D TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V16M8TG-6T IT:D TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT46V16M8TG-6T IT:D TR, MT46V16M8TG-6T IT:D TR數據表 (總頁數: 81, 大小: 6,500.13 KB)
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MT46V16M8TG-6T IT:D TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小128Mb (16M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率167MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP

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Micron Technology Inc.

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技術

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

36Kb (4K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

8ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

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內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

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