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MT46V32M16BN-5B:C TR

MT46V32M16BN-5B:C TR

僅供參考

型號 MT46V32M16BN-5B:C TR
PNEDA編號 MT46V32M16BN-5B-C-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V32M16BN-5B:C TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V32M16BN-5B:C TR
類別半導體內存IC內存

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MT46V32M16BN-5B:C TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.5V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (10x12.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-TFBGA

供應商設備包裝

60-FBGA (8x10)

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

7µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EERAM

技術

EEPROM, SRAM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

400ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-TSSOP

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制造商

Rohm Semiconductor

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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