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MT46V32M8FG-75E:G TR

MT46V32M8FG-75E:G TR

僅供參考

型號 MT46V32M8FG-75E:G TR
PNEDA編號 MT46V32M8FG-75E-G-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 13 - 一月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V32M8FG-75E:G TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V32M8FG-75E:G TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT46V32M8FG-75E:G TR, MT46V32M8FG-75E:G TR數據表 (總頁數: 93, 大小: 3,632.33 KB)
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MT46V32M8FG-75E:G TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間750ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-FBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x14)

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內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

28-TSOP

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

79-VFBGA

供應商設備包裝

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制造商

Winbond Electronics

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-TFBGA

供應商設備包裝

90-VFBGA (8x13)

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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