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MT46V32M8P-5B:M TR

MT46V32M8P-5B:M TR

僅供參考

型號 MT46V32M8P-5B:M TR
PNEDA編號 MT46V32M8P-5B-M-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 30 - 一月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V32M8P-5B:M TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V32M8P-5B:M TR
類別半導體內存IC內存

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MT46V32M8P-5B:M TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.5V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

STMicroelectronics

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (64 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

72Kb (4K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

350ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-TFBGA

供應商設備包裝

84-FBGA (8x12.5)

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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