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MT46V64M8TG-5B:J TR

MT46V64M8TG-5B:J TR

僅供參考

型號 MT46V64M8TG-5B:J TR
PNEDA編號 MT46V64M8TG-5B-J-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V64M8TG-5B:J TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V64M8TG-5B:J TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT46V64M8TG-5B:J TR, MT46V64M8TG-5B:J TR數據表 (總頁數: 94, 大小: 1,658.45 KB)
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MT46V64M8TG-5B:J TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.5V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP

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內存大小

128Gb (16G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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