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MT46V64M8TG-75:D TR

MT46V64M8TG-75:D TR

僅供參考

型號 MT46V64M8TG-75:D TR
PNEDA編號 MT46V64M8TG-75-D-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 27 - 一月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V64M8TG-75:D TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V64M8TG-75:D TR
類別半導體內存IC內存

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MT46V64M8TG-75:D TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間750ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

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內存接口

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

72Kb (8K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

17ns

訪問時間

17ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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