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MT47H128M16RT-187E:C TR

MT47H128M16RT-187E:C TR

僅供參考

型號 MT47H128M16RT-187E:C TR
PNEDA編號 MT47H128M16RT-187E-C-TR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H128M16RT-187E:C TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H128M16RT-187E:C TR
類別半導體內存IC內存

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MT47H128M16RT-187E:C TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小2Gb (128M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間350ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱84-TFBGA
供應商設備包裝84-FBGA (9x12.5)

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內存接口

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II+

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

24-T-PBGA (6x8)

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制造商

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內存類型

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內存格式

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SRAM - Dual Port, Asynchronous

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

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工作溫度

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