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MT47H128M8HQ-3:G TR

MT47H128M8HQ-3:G TR

僅供參考

型號 MT47H128M8HQ-3:G TR
PNEDA編號 MT47H128M8HQ-3-G-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,514
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H128M8HQ-3:G TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H128M8HQ-3:G TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT47H128M8HQ-3:G TR, MT47H128M8HQ-3:G TR數據表 (總頁數: 134, 大小: 9,292.75 KB)
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MT47H128M8HQ-3:G TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間450ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-FBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x11.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

32-PLCC (11.43x13.97)

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Toshiba Memory America, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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時鐘頻率

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