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MT47H16M16BG-5E:B

MT47H16M16BG-5E:B

僅供參考

型號 MT47H16M16BG-5E:B
PNEDA編號 MT47H16M16BG-5E-B
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,113
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 20 - 三月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H16M16BG-5E:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H16M16BG-5E:B
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT47H16M16BG-5E:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間600ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱84-FBGA
供應商設備包裝84-FBGA (8x14)

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內存接口

SPI

時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

100µs, 10ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

32-sTSOP

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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