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MT47H32M16HR-25E AAT:G

MT47H32M16HR-25E AAT:G

僅供參考

型號 MT47H32M16HR-25E AAT:G
PNEDA編號 MT47H32M16HR-25E-AAT-G
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 29 - 一月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H32M16HR-25E AAT:G資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H32M16HR-25E AAT:G
類別半導體內存IC內存
數據表
MT47H32M16HR-25E AAT:G, MT47H32M16HR-25E AAT:G數據表 (總頁數: 132, 大小: 9,273.5 KB)
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MT47H32M16HR-25E AAT:G規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間400ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱84-TFBGA
供應商設備包裝84-FBGA (8x12.5)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

2.4V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

8ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-DIP

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (16M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

2.6ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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