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MT47H32M16HR-3:G

MT47H32M16HR-3:G

僅供參考

型號 MT47H32M16HR-3:G
PNEDA編號 MT47H32M16HR-3-G
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,250
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 30 - 一月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H32M16HR-3:G資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H32M16HR-3:G
類別半導體內存IC內存

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MT47H32M16HR-3:G規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間450ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱84-TFBGA
供應商設備包裝84-FBGA (8x12.5)

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內存接口

Parallel

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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