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MT49H16M18BM-33 TR

MT49H16M18BM-33 TR

僅供參考

型號 MT49H16M18BM-33 TR
PNEDA編號 MT49H16M18BM-33-TR
描述 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT49H16M18BM-33 TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT49H16M18BM-33 TR
類別半導體內存IC內存

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MT49H16M18BM-33 TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術DRAM
內存大小288Mb (16M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率300MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱144-TFBGA
供應商設備包裝144-µBGA (18.5x11)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

2.6ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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安裝類型

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

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工作溫度

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