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MT49H16M36BM-25E:B TR

MT49H16M36BM-25E:B TR

僅供參考

型號 MT49H16M36BM-25E:B TR
PNEDA編號 MT49H16M36BM-25E-B-TR
描述 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,238
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 29 - 一月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT49H16M36BM-25E:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT49H16M36BM-25E:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT49H16M36BM-25E:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術DRAM
內存大小576Mb (16M x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間15ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱144-TFBGA
供應商設備包裝144-µBGA (18.5x11)

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Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-miniBGA (6x8)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

16-SOIC

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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