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MT49H8M36BM-25:B TR

MT49H8M36BM-25:B TR

僅供參考

型號 MT49H8M36BM-25:B TR
PNEDA編號 MT49H8M36BM-25-B-TR
描述 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,644
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT49H8M36BM-25:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT49H8M36BM-25:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT49H8M36BM-25:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術DRAM
內存大小288Mb (8M x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱144-TFBGA
供應商設備包裝144-µBGA (18.5x11)

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內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

35ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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技術

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LQFP

供應商設備包裝

64-TQFP (10x10)

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電壓-供電

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安裝類型

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