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MT49H8M36SJ-25E:B

MT49H8M36SJ-25E:B

僅供參考

型號 MT49H8M36SJ-25E:B
PNEDA編號 MT49H8M36SJ-25E-B
描述 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 28 - 一月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT49H8M36SJ-25E:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT49H8M36SJ-25E:B
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT49H8M36SJ-25E:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術DRAM
內存大小288Mb (8M x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間15ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱144-TFBGA
供應商設備包裝144-FBGA (18.5x11)

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Micron Technology Inc.

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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內存格式

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內存接口

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訪問時間

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電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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供應商設備包裝

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 90°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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