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MT52L512M64D4GN-107 WT:B

MT52L512M64D4GN-107 WT:B

僅供參考

型號 MT52L512M64D4GN-107 WT:B
PNEDA編號 MT52L512M64D4GN-107-WT-B
描述 IC DRAM 32G 933MHZ FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 27 - 一月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT52L512M64D4GN-107 WT:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT52L512M64D4GN-107 WT:B
類別半導體內存IC內存

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MT52L512M64D4GN-107 WT:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小32Gb (512M x 64)
內存接口-
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.2V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-WFBGA
供應商設備包裝256-FBGA (14x14)

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內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

100ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.65V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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