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MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR

MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR

僅供參考

型號 MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR
PNEDA編號 MT52L512M64D4GN-107-WT-ES-B-TR
描述 IC DRAM 32G 933MHZ FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小32Gb (512M x 64)
內存接口-
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.2V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-WFBGA
供應商設備包裝256-FBGA (14x14)

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系列

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內存格式

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EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

供應商設備包裝

8-MSOP

AT28C16-20SI

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (4K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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