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MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

僅供參考

型號 MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR
PNEDA編號 MT53B256M32D1GZ-062-AIT-B-TR
描述 IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
內存大小8Gb (256M x 32)
內存接口-
時鐘頻率1600MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.1V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱200-WFBGA
供應商設備包裝200-WFBGA (11x14.5)

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Micron Technology Inc.

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內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2.1MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

20-TSSOP

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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制造商

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

120MHz

寫周期-字,頁

50µs, 2.4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-TBGA

供應商設備包裝

24-TFBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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