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MT53B2DARN-DC TR

MT53B2DARN-DC TR

僅供參考

型號 MT53B2DARN-DC TR
PNEDA編號 MT53B2DARN-DC-TR
描述 LPDDR4 8G DDP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT53B2DARN-DC TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT53B2DARN-DC TR
類別半導體內存IC內存

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MT53B2DARN-DC TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列*
內存類型-
內存格式-
技術-
內存大小-
內存接口-
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

1.125Gb (32Mb x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1067MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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內存接口

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85ns

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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