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MT53B2DBDS-DC

MT53B2DBDS-DC

僅供參考

型號 MT53B2DBDS-DC
PNEDA編號 MT53B2DBDS-DC
描述 IC SDRAM LPDDR4 6GBIT NA DDP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT53B2DBDS-DC資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT53B2DBDS-DC
類別半導體內存IC內存

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MT53B2DBDS-DC規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
內存大小-
內存接口-
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱200-WFBGA
供應商設備包裝200-WFBGA (10x14.5)

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

750ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

66-TSOP

MT46H128M32L2KQ-5 IT:B

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

4Gb (128M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-WFBGA

供應商設備包裝

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Microchip Technology

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

400ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Die

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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