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MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D

MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D

僅供參考

型號 MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D
PNEDA編號 MT53D512M64D4NW-062-WT-ES-D
描述 IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,572
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D
類別半導體內存IC內存

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MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
內存大小32Gb (512M x 64)
內存接口-
時鐘頻率1600MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.1V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱432-VFBGA
供應商設備包裝432-VFBGA (15x15)

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

DRAM

內存大小

576Mb (32M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

10ns

電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-TBGA

供應商設備包裝

168-BGA (13.5x13.5)

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

R1LP0108ESN-7SI#S0

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

32-SOP

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

66-TSOP II

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Winbond Electronics

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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