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MTD2955VT4

MTD2955VT4

僅供參考

型號 MTD2955VT4
PNEDA編號 MTD2955VT4
描述 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MTD2955VT4資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MTD2955VT4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
MTD2955VT4, MTD2955VT4數據表 (總頁數: 9, 大小: 234.71 KB)
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MTD2955VT4規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs230mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds770pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)60W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

44A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

175nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

298W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263 (IXTA)

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.1mOhm @ 20A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+10V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1560pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 65A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

338nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

450W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

104A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 62A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3445pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 59A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

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