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MTD6N15T4

MTD6N15T4

僅供參考

型號 MTD6N15T4
PNEDA編號 MTD6N15T4
描述 MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,524
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MTD6N15T4資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MTD6N15T4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
MTD6N15T4, MTD6N15T4數據表 (總頁數: 6, 大小: 119.26 KB)
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MTD6N15T4規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs300mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.25W (Ta), 20W (Tc)
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

857pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

850mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

290mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

SC-70, SOT-323

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

173nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

176W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 279µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

222nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16900pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

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