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MTFC32GAPALBH-AIT ES

MTFC32GAPALBH-AIT ES

僅供參考

型號 MTFC32GAPALBH-AIT ES
PNEDA編號 MTFC32GAPALBH-AIT-ES
描述 IC FLASH 256G MMC
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 17 - 一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MTFC32GAPALBH-AIT ES資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MTFC32GAPALBH-AIT ES
類別半導體內存IC內存

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MTFC32GAPALBH-AIT ES規格

制造商Micron Technology Inc.
系列e•MMC™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小256Gb (32G x 8)
內存接口MMC
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱153-TFBGA
供應商設備包裝153-TFBGA (11.5x13)

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內存大小

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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制造商

Winbond Electronics

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-TFBGA

供應商設備包裝

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Maxim Integrated

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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