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MTP3055V

MTP3055V

僅供參考

型號 MTP3055V
PNEDA編號 MTP3055V
描述 MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,984
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MTP3055V資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MTP3055V
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
MTP3055V, MTP3055V數據表 (總頁數: 7, 大小: 202.41 KB)
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MTP3055V規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)48W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 2.78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SC-70-6 (SOT-363)

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6021pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

253W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 21.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1535pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO252-3

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

85V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

152A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

114nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 11.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1235pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

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