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MUBW35-06A6K

MUBW35-06A6K

僅供參考

型號 MUBW35-06A6K
PNEDA編號 MUBW35-06A6K
描述 MODULE IGBT CBI E1
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUBW35-06A6K資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUBW35-06A6K
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
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MUBW35-06A6K規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型NPT
配置Three Phase Inverter with Brake
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)42A
功率-最大130W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 35A
當前-集電極截止(最大值)750µA
輸入電容(Cies)@ Vce1.6nF @ 25V
輸入Three Phase Bridge Rectifier
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱E1
供應商設備包裝E1

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IXYS

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-

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NPT

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Three Phase Inverter with Brake

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

7A

功率-最大

38W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 4A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.34nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

E1

供應商設備包裝

E1

VS-GT80DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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IGBT類型

Trench

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

139A

功率-最大

658W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.55V @ 15V, 80A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-227

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

IGBT類型

Trench

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

2119W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

28.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Double INT-A-PAK

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系列

*

IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1800A

功率-最大

29140W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-25°C ~ 55°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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