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MUN2137T1G

MUN2137T1G

僅供參考

型號 MUN2137T1G
PNEDA編號 MUN2137T1G
描述 TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,426
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUN2137T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUN2137T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
MUN2137T1G, MUN2137T1G數據表 (總頁數: 12, 大小: 178.3 KB)
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MUN2137T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47 kOhms
電阻-發射極基(R2)22 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大230mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SC-59

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電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

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安裝類型

Surface Mount

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電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

-

電阻-發射極基(R2)

100 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

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10 kOhms

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

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