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MUR10060CTR

MUR10060CTR

僅供參考

型號 MUR10060CTR
PNEDA編號 MUR10060CTR
描述 DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUR10060CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUR10060CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MUR10060CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 50A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)110ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 50V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 50V

工作溫度-結點

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

7.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

970mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

425mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

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1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

60µA @ 60V

工作溫度-結點

175°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

580mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1.3ns

當前-反向泄漏@ Vr

300nA @ 10V

工作溫度-結點

125°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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