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MUR110S R5G

MUR110S R5G

僅供參考

型號 MUR110S R5G
PNEDA編號 MUR110S-R5G
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUR110S R5G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUR110S R5G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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MUR110S R5G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果875mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

12000V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

12V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 12000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

1nA @ 125V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

460mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

900µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1400V

電流-平均整流(Io)

100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 470A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7µs

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 1400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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