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MUR110SHM4G

MUR110SHM4G

僅供參考

型號 MUR110SHM4G
PNEDA編號 MUR110SHM4G
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUR110SHM4G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUR110SHM4G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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MUR110SHM4G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果875mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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75V

電流-平均整流(Io)

300mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 75V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

3-UB (3.09x2.45)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 500V

電容@ Vr,F

16pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 40V

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

170pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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