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MUR20020CTR

MUR20020CTR

僅供參考

型號 MUR20020CTR
PNEDA編號 MUR20020CTR
描述 DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUR20020CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUR20020CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MUR20020CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 50V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

150mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.43V @ 259A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 1600V

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

250A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

54ns

當前-反向泄漏@ Vr

90µA @ 200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

120mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

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工作溫度-結點

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