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MUR2X100A12

MUR2X100A12

僅供參考

型號 MUR2X100A12
PNEDA編號 MUR2X100A12
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUR2X100A12資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUR2X100A12
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MUR2X100A12, MUR2X100A12數據表 (總頁數: 3, 大小: 650.65 KB)
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MUR2X100A12規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置2 Independent
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.35V @ 100A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 1200V
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝SOT-227

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 90V

工作溫度-結點

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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速度

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